碳化矽的性質

碳化矽主要有兩種結晶形態：b-SiC和a-SiC。b-SiC為面心立方閃鋅礦型結構，晶格常數a=0.4359nm。a-SiC是SiC的高溫型結構，屬六方晶系，它存在著許多變體。

碳化矽的折射率非常高，在普通光線下為2.6767~2.6480.各種晶型的碳化矽的密度接近，a-SiC一般為3.217g/cm3，b-SiC為3.215g/cm3.純碳化矽是無色透明的，工業SiC由於含有遊離Fe、Si、C等雜質而成淺綠色或黑色。綠碳化矽和黑碳化矽的硬度在常溫和高溫下基本相同。SiC熱膨脹系數不大，在25~1400℃平均熱膨脹系數為4.5×10-6/℃。碳化矽具有很高的熱導率，500℃時為64.4W/(m·K)。常溫下SiC是一種半導體。碳化矽的基本性質列於下表。

性質	指標	性質	指標
摩爾質量/(g/mol) 顏色密度/(g/cm3)	40.097 純SiC為黃色，添加B、N、Al為棕色 a-SiC 3.217g/cm3 b-SiC 3.215g/cm3	德拜溫度/K	a-SiC 1200 b-SiC 1430
		能隙/eV	a-SiC（6H） 2.86 b-SiC 2.60
		超導轉變溫度/K	5
摩爾熱容/[J/(mol·K)]	a-SiC 27.69 b-SiC 28.63	彈性模量/GPa	293K為475 1773K為441
生成熱（198.15K時）/(kJ/mol)	a-SiC 25.73±0.63 b-SiC 28.03±2.00	彈性模量/GPa	192
熱導率/[W/(m·K)]	a-SiC 40.0 b-SiC 25.5	體積模量/GPa	96.6
線膨脹系數/(10-6/K)	a-SiC 5.12 b-SiC 3.80	泊松比n	0.142
300K時的介電常數	a-SiC(6H)9.66~10.03 b-SiC 9.72	抗彎強度/Mpa	350~600
電阻率/Ω·m	a-SiC 0.0015~103 b-SiC 10-2~106	耐腐蝕性	在室溫下幾乎是惰性

碳化矽具有耐高溫、耐磨、抗沖刷、耐腐蝕和質量輕的特點。碳化矽在高溫下的氧化是其損害的主要原因。

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