非晶矽

非晶矽
amorphous silicon α-Si 又稱無定形矽。單質矽的一種形態。棕黑色或灰黑色的微晶體。矽不具有完整的金剛石晶胞，純度不高。熔點、密度和硬度也明顯低於晶體矽。

非晶矽性質：
化學性質比晶體矽活潑。可由活潑金屬(如鈉、鉀等) 雙結非晶矽太陽能電池板
在加熱下還原四鹵化矽，或用碳等還原劑還原二氧化矽制得。結構特征為短程有序而長程無序的α-矽。純α-矽因缺陷密度高而無法使用。采用輝光放電氣相沉積法就得含氫的非晶矽薄膜，氫在其中補償懸掛鏈，並進行摻雜和制作pn結。非晶矽在太陽輻射峰附近的光吸收系數比晶體矽大一個數量級。禁帶寬度1.7～1.8eV，而遷移率和少子壽命遠比晶體矽低。現已工業應用，主要用於提煉純矽，制造太陽電池、薄膜晶體管、複印鼓、光電傳感器等。

非晶矽的制備：
由非晶態合金的制備知道，要獲得非晶態，需要有高的冷卻速率，而對冷卻速率的具體要求隨材料而定。矽要求有極高的冷卻速率，用液態快速淬火的方法目前還無法得到非晶態。近年來，發展了許多種氣相澱積非晶態矽膜的技術，其中包括真空蒸發、輝光放電、濺射及化學氣相澱積等方法。一般所用的主要原料是單矽烷（SiH4）、二矽烷（Si2H6）、四氟化矽（SiF4）等，純度要求很高。非晶矽膜的結構和性質與制備工藝的關系非常密切，目前認為以輝光放電法制備的非晶矽膜質量最好，設備也並不複雜。以下簡介輝光放電法。

非晶矽的用途

非晶矽的用途很多，可以制成非晶矽場效應晶體管；用於液晶顯示器件、集成式a—Si倒相器、集成式圖象傳感器、以及雙穩態多諧振蕩器等器件中作為非線性器件；利用非晶矽膜可以制成各種光敏、位敏、力敏、熱敏等傳感器；利用非晶矽膜制做靜電複印感光膜，不僅複印速率會大大提高，而且圖象清晰，使用壽命長；等等。目前非晶矽的應用正在日新月異地發展著，可以相信，在不久的將來，還會有更多的新器件產生。

非晶矽pdf文件：
非晶矽薄膜太陽能電池
非晶矽太陽能電池和化合物半導體太陽能電池

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