碳化硅的起源与发展

起源

是由美国人艾奇逊在1891年电熔金刚石实验时,在实验室偶然发现的一种碳化物,当时误认为是金刚石的混合体,故取名金刚砂,1893年艾奇逊研究出来了工业冶炼碳化硅的方法,也就是大家常说的艾奇逊炉,一直沿用至今,以碳质材料为炉芯体的电阻炉,通电加热石英SIO2和碳的混合物生成碳化硅。

发展

关于碳化硅的几个事件

1905年 第一次在陨石中发现碳化硅

1907年 第一只碳化硅发光二极管诞生

1955年 理论和技术上重大突破,LELY提出生长高品质碳化概念,从此将SIC作为重要的电子材料

1958年 在波士顿召开第一次世界碳化硅会议进行学术交流

1978年 六、七十年代碳化硅主要由前苏联进行研究。到1978年首次采用"LELY改进技术"的晶粒提纯生长方法

1987年~至今以CREE的研究成果建立碳化硅生产线,供应商开始提供商品化的碳化硅基

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