硅片等级分类及标准

硅片等级分类及标准
一、 优等品(Ⅰ类片)
1、物理、化学特性 ①型号:P 晶向〈100〉±1°； 18 3 ②氧含量: ≤1.0×10 at/cm ； 16 3 ③碳含量: ≤5×10 at/cm ； ④少子寿命:τ=1.3-3.0μs(在测试电压≥20mv 下裸片的数据)； ⑤电阻率: 0.9-1.2、1.2-3.0、3.0-6.0Ω•cm； 2 ⑥位错密度：≤3000 个/cm ； 2、几何尺寸 ①边长：125×125±0.5mm； ②对角：150×150±0.5mm； ③同心度：任意两弧的弦长之差≤1mm; ④垂直度：任意两边的夹角 90°±0.3°； ⑤厚度：200±20μm; (中心点厚度≥195μm,边缘四点厚度≥180 μm) 180±20μm; (中心点厚度≥175μm,边缘四点厚度≥160 μm) ⑥TTV：≤30μm; ⑦弯曲度：≤40μm； 3、表面指标 ①线痕：无可视线痕； ②目视表面：无沾污、无水渍、染色、白斑、指印等； ③无崩边、无可视裂纹、边缘光滑、目视无翘曲；
二、 合格品（Ⅱ类片）

1、物理化学特性 ①型号:P 晶向〈100〉±1°； ②氧含量: ≤1.0×1018at/cm3； ③碳含量: ≤5×1016at/cm3； ④少子寿命:τ=1.0-1.2μs(在测试电压≥20mv 下裸片的数据)； ⑤电阻率:0.5-0.8Ω•cm； ⑥位错密度：≤3000 个/cm2； 2、几何尺寸 ①边长：125×125±0.5mm； ②对角：150×150±0.5mm； ③同心度：任意两弧的弦长之差≤1.5mm; ④垂直度：任意两边的夹角 90°±0.3°； ⑤厚度：200±20μm;(中心点厚度≥195μm,边缘四点厚度≥180 μm) 180±20μm;(中心点厚度≥175μm,边缘四点厚度≥160 μm)
⑥TTV：≤30μm; ⑦弯曲度：≤40μm； 3、表面指标 ①线痕：无明显线痕、触摸无凹凸感。 ②崩边范围：崩边口不是"V"型、长×深≤1×0.5mm，个数≤1 个/片；无 可视裂纹、边缘光滑、目视无翘曲；
三、 等外品（Ⅲ类片）

1、物理、化学特性 ①型号:PN 晶向〈100〉±3°； ②氧含量: ≤1.0×1018at/cm3； 16 3 ③碳含量: ≤5×10 at/cm ； ④少子寿命:τ＜1.0μs(在测试电压≥20m 下裸片的数据)； ⑤电阻率: ≤0.5Ω•cm； ⑥位错密度：＞3000 个/cm2； 2、几何尺寸 ①边长：125×125±1.0mm； ②对角：150×150±1.0mm； ③同心度：任意两弧的弦长之差≤1.5mm; ④垂直度：任意两边的夹角 90°±0.5°； ⑤厚度：＜160μm 3、表面指标 ①有明显线痕、触摸有凹凸感。
说明：只要满足第三条"等外品（Ⅲ类片） "的任意一项就 判为不合格品。

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