金锗合金在电子工业中的应用

金锗合金有着低的接触电阻及与衬底粘附性好等特点,主要用于M/S(金属/半导体)中以形成欧姆接触;同时,由于金锗合金良好的润湿性、导电性和导热性及较低的封接温度和热膨胀系数,在电子封装中也得到广泛应用。

金锗合金具有低蒸气压、低接触电阻、低熔化温度、与衬底粘附性好、高导电性和导热性等优点，金锗合金广泛应用在ＧａＡｓ　ＭＥＳＦＥＴ（ＧａＡｓ金属半导体肖特基结场效应晶体管）中，与Ａｕ、Ｎｉ等金属组成不同的Ｍ／Ｓ系统用于形成欧姆接触。同时，随着电子系统　从最初的混合集成电路发展到今天的大规模、超大　规模集成电路，ＩＣ（集成电路）的尺寸越来越小，集成度越来越高，电子系统和整机不断朝着小型化、高性能、高密度、高可靠性发展，这对其中的芯片互连材料、元件焊接材料、封装材料提出更高的要求，如具有高导电性，高导热性，热膨胀系数与介质匹配较好，有较低的熔流点等。金锗合金作为一种共　晶焊料，在芯片焊接、封装等领域得到广泛应用。